Neue Gallium- und Germanium-Materialien für Leistungshalbleiter reifen heran

Halbleiter aus Gallium(III)-oxid und Germanium(IV)-oxid versprechen Vorteile gegenüber solchen aus Galliumnitrid (GaN) oder Siliziumkarbid (SiC).

Schreibe einen Kommentar

Deine E-Mail-Adresse wird nicht veröffentlicht. Erforderliche Felder sind mit * markiert

*
*